Memoria
Latencia CAS 19
Placa de plomo Oro
Dise帽o de memoria (m贸dulos x tama帽o) 1 x 2 + 1 x 4 GB
Componente para PC/servidor
Voltaje de memoria 1.2 V
Configuraci贸n de m贸dulos 512M x 64
Tiempo activo en fila 32 ns
Buffered memory type Unregistered (unbuffered)
Tipo de memoria interna DDR4
Memoria interna 4GB
Clasificaci贸n de memoria 1
Velocidad de memoria del reloj 2666 MHz
ECC No
Tiempo de actualizaci贸n de ciclo de fila 350 ns
Requisitos del sistema
Sistema operativo Linux soportado Si
Sistema operativo Windows soportado Si
Sistema operativo MAC soportado Si
Otras caracter铆sticas
Factor de forma 288-pin DIMM
Dise帽o
JEDEC standard Si
Condiciones ambientales
Intervalo de temperatura operativa 0 - 85 掳C
Intervalo de temperatura de almacenaje -55 - 100 掳C